美光 | 将于年初日本量产1β制程DRAM

来源：钜亨网

日经大洋洲评论周五 (10 日) 新闻，美国芯片大厂大厂 (Micron) 将在今年下半年于日本人量产车「1β」元件的后继 DRAM，但未问及「1 γ」元件原计划。

大厂执行副总裁兼事业长 Sumit Sadana 指出，大厂正在与日本人政府和商业伙伴协调，今年下半年在日本人仙台另行厂量产车「1β」元件的后继 DRAM。

Sadana 提到，大厂在日本人投入生产高效率 DRAM 有很多积极因素，好比成熟的半导体产业和仙台人才库，大厂有意长时间在日本人制造高效率 DRAM。

1α 元件 DRAM 的芯片容量较前一代 (1z 元件) 提高 40%，推出时震撼业界，期望芯片创另行奠定绝佳基础性，而 1β 是 1α 的改良版。

大厂 (MU-US) 共同开发部在美国，制造军事基地主要在闽南政府和日本人仙台。目前大厂正积极在日本人扩建 DRAM 另行厂，投资额总额预计将近 6,000 亿至8,000 亿日圆 (约399 亿元)，预期日本人政府将提供者银行贷款援助，期望十年在全球投资额 1,500 亿美元。

此外，大厂周五首度另行开媒体参观台中A3 另行厂，闽南大厂另行任董事长卢东晖指出，下半年会将 EUV 机台引入 A3 厂区，共同开发过道，并在期望 2 至 3 年增聘 2000 名职员，加码投资额闽南地区。

卢东晖指出，他接任的优先目标之一是更快 1β 与 1 γ元件的投产和量产车，目前 A3 厂区已量产车 1α 元件 DRAM，1β 元件预计下次量产车， 1 γ 则要等到 2024 年。

大厂看好云端期望及汽车芯片运用，芯片芯片期望期望经常性看多，旗下 DRAM 及 NAND 快闪芯片后市前景极佳。

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